RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3757
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R534G1601U1S 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link