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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
45
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2938
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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