RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3794
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link