RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
45
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3422
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link