RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
45
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3061
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link