RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3734
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
OCZ OCZ2P800R21G 1GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link