RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
45
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
41
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2656
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link