RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
45
Autour de -105% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2313
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link