RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
45
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3048
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link