RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
45
Autour de -125% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3359
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link