RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3208
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link