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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
45
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3614
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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