RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
23.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
4208
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link