RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
45
Autour de -45% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1860
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link