RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
99
Autour de 55% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
99
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1499
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link