RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3575
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link