RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
45
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
43
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2776
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link