RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
68
Autour de 34% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
68
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2007
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link