RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
45
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3082
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link