RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
45
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3456
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link