RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
45
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3729
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CML32GX3M4A1866C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link