RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
45
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3198
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link