RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
48
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
31
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2307
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link