RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
48
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
31
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3168
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link