RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
48
Autour de -66% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
29
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3239
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link