Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Note globale
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 48
    Autour de -85% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.6 left arrow 8.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.8 left arrow 5.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    48 left arrow 26
  • Vitesse de lecture, GB/s
    8.9 left arrow 14.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.9 left arrow 11.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1420 left arrow 3124
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons