RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
48
Autour de -60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
30
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3393
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB Comparaison des RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link