RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
48
Autour de -66% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
29
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
4047
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link