RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
48
Autour de -85% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
26
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3857
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link