RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
48
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
32
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3274
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link