RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
48
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
33
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2847
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link