RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
48
Autour de -60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
30
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2732
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link