RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
48
Autour de -60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
30
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2732
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link