RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
48
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.6
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
24
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
1433
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link