RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
65
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
65
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
1824
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link