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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
48
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3090
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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Kingston 9905599-010.A00G 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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