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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
48
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
24
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3690
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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