RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
48
Autour de -85% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
26
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3486
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link