RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
48
Autour de -66% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
29
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2968
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link