RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
50
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
50
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
1976
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link