RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
48
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
35
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2126
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link