RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
48
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
35
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2179
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link