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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Différences
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
48
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2487
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
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