RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
51
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.9
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
51
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
9.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2314
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link