RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
48
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.3
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
40
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
1773
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link