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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
48
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
43
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2794
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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