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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
48
Autour de -109% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
23
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2922
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
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