RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
48
Autour de -118% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
22
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
4240
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link