RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.9
5.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
48
Autour de -7% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
45
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
5.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
1535
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link