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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
48
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
33
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2608
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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