RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
47
Autour de -147% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
19
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
3521
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link